主要针对集成电路IC封装工艺过程引线框架特性，去除芯片及框架表面微颗粒污染及氧化物，达到改善材料表面性质，增加表面活性，提高引线键合强度，提高打线能力，防止封装分层。主要针对集成电路IC封装工艺过程引线框架特性，去除芯片及框架表面微颗粒污染及氧化物，达到改善材料表面性质，增加表面活性，提高引线键合强度，提高打线能力，防止封装分层。